真空共晶回流炉利用真空加热原理，辅以甲酸、正压等工艺手段，为电子器件的良好合金焊接提供工艺环境。广泛应用于大功率半导体激光器、光通信半导体激光器、激光雷达器件、T/R 组件、混合电路、分立器件、MEMS 器件、IGBT、大功率 LED、红外器件等高端器件封装，可实现高可靠、高真空、低空洞焊接。
界面简单直观，数据和工艺曲线自由可控，支持离线查看与分析。
采用德国 Siemens 工业控制系统 + Siemens 测温模块精准闭环控温，控温精度 ±0.5℃。
采用日本原装进口红外石英灯辐射加热，灯管寿命可达 10 年以上。
分区控温，自主知识产权 PID 自动调节 AEG/INJET 调功器精确控温，TC Wafer 测试有效面积内温度均匀性 ±1～1.5%。
0.3MPa 正压，压力控制精度 ±5%，有效去除微空洞、控制焊料溢出，防止助焊剂飞溅。
2 路 MFC 质量流量计精确控制，氮气流量 50SLM，甲酸流量 30SLM。
气冷/水冷降温，真空状态下可采用水冷降温，降温速率可控，有效改善焊接应力。
具备腔室门开闭安全防护功能，自动无冲击开启与关闭。
开放 OPC/UA 协议，便于对接 MES 系统。
可升级在线自动上下料、机械手自动取放样品、扫码枪在线扫码及腔室门自动启闭。
超温保护、水流量及气体压力监控、甲酸管路压力控制、正压腔室门互锁。
| HC-VS200E 加热板 | 350mm×290mm |
|---|---|
| HC-VS210E 加热板 | 227mm×217mm |
| 最高温度 | 450℃ |
| 控温精度 | ±0.5℃ |
| 温度均匀性 | ±1.5%（TC Wafer 验证） |
| 真空度 | ≤5Pa |
| 真空腔室漏率 | 5×10⁻⁸ mbar·l/s |
| 甲酸工艺模块 | 标配 |
| 最大升温速率 | 200℃/min（空载） |
| 最大降温速率 | 100℃/min（空载，气冷） |
| 可放器件最大高度 | 100mm |
| 腔室门开闭 | 半自动 |
| MES 接口 | 可选 |
| 助焊剂模块 | HC-VS200E 可选 |
